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TRENCH 데이터시트, PDF

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검색된 단어 : 'Trench' - Total: 316 (1/16) Pages
제조업체부품명데이터시트상세설명
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Microsemi Corporation 		APT75GT120JU3 Datasheet pdf image
507Kb/7P		 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU2 Datasheet pdf image
506Kb/7P		 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT35GT120JU3 Datasheet pdf image
506Kb/7P		 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APT100GT120JU3 Datasheet pdf image
505Kb/7P		 ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
APTCV60TLM24T3G Datasheet pdf image
306Kb/13P		 CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT
APT50GT120JU2 Datasheet pdf image
506Kb/7P		 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT
APT75GT120JU2 Datasheet pdf image
506Kb/7P		 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT
APT100GT120JU2 Datasheet pdf image
506Kb/7P		 ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT
APT50GT120JU3 Datasheet pdf image
511Kb/7P		 ISOTOP짰 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT짰
APTGL60TL120T3G Datasheet pdf image
207Kb/6P		 Three level inverter Trench + Field Stop IGBT4
APTGT300SK60D3G Datasheet pdf image
223Kb/5P		 Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT3 Power Module
APTGL90DH120T3G Datasheet pdf image
200Kb/5P		 Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGT50DH60T1G Datasheet pdf image
212Kb/5P		 Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGL60H120T3G Datasheet pdf image
204Kb/5P		 Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL90DA120T1G Datasheet pdf image
219Kb/5P		 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL90SK120T1G Datasheet pdf image
219Kb/5P		 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module
APTGL325SK120D3G Datasheet pdf image
215Kb/5P		 Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
APTGT30SK170T1G Datasheet pdf image
282Kb/5P		 Buck chopper Trench + Field Stop IGBT짰 Power Module
APTGT50H60T1G Datasheet pdf image
281Kb/5P		 Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT짰 Power Module
APTGT75DA60T1G Datasheet pdf image
277Kb/5P		 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT짰 Power Module

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Trench 란

Trench(트렌치)은 전자 부품 제조 기술 중 하나로, 반도체 소자를 만드는 과정에서 사용됩니다.

트렌치 기술은 반도체 소자의 전기적 성능을 향상시키기 위해 개발된 기술입니다.

트렌치 기술은 반도체 소자의 구조를 새롭게 설계하여, 소자의 발열 문제와 성능 저하 문제를 개선합니다.

트렌치 기술을 사용하면, 반도체 소자 내부에 작은 구덩이(트렌치)를 파서, 소자의 표면 면적을 확대할 수 있습니다.

이렇게 하면 전류가 흐르는 경로가 더 짧아지므로 전기적인 성능이 향상됩니다.

트렌치 기술은 주로 MOSFET(메탈 옥사이드 반도체 전계장 효과 트랜지스터)와 같은 고성능 반도체 소자에서 사용됩니다.

이러한 반도체 소자는 고속 전자 회로, 전력 변환 장치, 자동차 제어 장치 등에 사용됩니다.

트렌치 기술을 사용하면 소자의 성능과 효율성이 향상되므로, 현대 전자 부품 산업에서 매우 중요한 역할을 합니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.


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