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65Kb/1P		 Phase Control SCR
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101Kb/1P		 SCR, V(DRM) < 50V
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88Kb/1P		 SCR, V(DRM) < 50 V
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82Kb/1P		 SCR, V(DRM) < 50 V
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109Kb/1P		 SCR, V(DRM) = 600V TO 699.9V
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82Kb/1P		 SCR, V(DRM) = 50V TO 99.9V
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117Kb/1P		 SCR, V(DRM) = 500V TO 599.9V
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109Kb/1P		 SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V
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103Kb/1P		 SCR, V(DRM) = 200V TO 299.9V
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131Kb/1P		 SCR, V(DRM) == 600V TO 699.9V
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114Kb/1P		 SCR, V(DRM) = 600V TO 699.9V
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96Kb/1P		 SCR, V(DRM) = 50V TO 99.9V

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SCR 란

SCR(실리콘 제어 정류기)은 고전력 회로에서 전류 흐름을 제어하는 ​​데 일반적으로 사용되는 3단자 반도체 장치입니다.

SCR은 고전력 애플리케이션에서 전류 흐름을 제어하는 ​​데 사용되는 일종의 반도체 장치인 사이리스터 유형입니다.

SCR은 스위치처럼 작동하여 트리거될 때 전류가 한 방향으로 흐르도록 합니다.

방아쇠는 양극과 음극 단자 사이의 전류 흐름을 제어하는 ​​SCR의 게이트 단자에 적용됩니다.

게이트 트리거가 적용되면 SCR이 켜지고 이를 통해 흐르는 전류가 일정 수준 아래로 떨어질 때까지 켜진 상태를 유지하다가 꺼집니다.

SCR은 특히 전력 제어, 모터 제어 및 조명 제어를 비롯한 많은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

저전력 트리거 신호로 고전력 전류의 흐름을 제어하는 ​​기능은 많은 전자 시스템에서 유용한 구성 요소입니다.

SCR의 주요 이점 중 하나는 고전압 및 전류 처리 기능으로, 이는 고전력 애플리케이션에 사용하기에 매우 적합합니다.

또한 SCR은 고속 스위칭 장치이므로 고속 스위칭이 필요한 애플리케이션에 유용합니다.

일반적으로 SCR의 설계 및 성능은 전압 및 전류 정격, 트리거 특성 및 작동 환경을 비롯한 여러 요인의 영향을 받습니다.

주어진 애플리케이션에 적합한 SCR을 선택하는 것은 시스템의 성능, 신뢰성 및 안전성에 영향을 미치기 때문에 중요한 고려 사항입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.


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