SCHOTTKY Datasheet(PDF) - WSB5558N - Will Semiconductor Ltd.

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SCHOTTKY 란

Schottky는 반도체 전자 부품에서 사용되는 용어 중 하나입니다.

Schottky는 Schottky Barrier를 의미하는데, 이는 P-type 반도체와 금속 사이의 접합에 형성되는 것으로, 이러한 접합의 특징은 높은 전도성, 낮은 포화전압, 빠른 스위칭 속도 및 저 소음 수준을 가집니다.

이러한 특성은 전자 부품 설계에서 매우 유용합니다.

따라서 Schottky diode는 반도체 소자의 일종으로, Schottky Barrier를 사용하여 구성됩니다.

Schottky diode는 다른 다이오드와 비교하여 속도와 효율성이 더 높으며, 저전압 손실과 빠른 반응 속도를 가집니다.

Schottky diode는 대부분 전원 변환기, RF 레시버, 고속 스위칭 회로 등에서 사용됩니다.

또한, Schottky transistor는 저전압에서 고전류를 제공하는 반도체 소자로서, Schottky Barrier를 사용하여 게이트와 채널 사이의 접합을 형성합니다.

이러한 소자는 전원 변환기, 고속 스위칭 회로, RF 앰프 등에서 사용됩니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Will Semiconductor Ltd.	WSB5558N	1Mb/3P	Schottky Barrier Diode
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	RB521C30	779Kb/3P	Schottky Barrier Diode
	WSB5549N	290Kb/3P	Schottky Barrier Diode
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	WSB5546N	818Kb/4P	0.2A, Schottky Barrier Diode
	WSB20L100T	1Mb/3P	Power Schottky Barrier Rectifier
	WSB5511M	178Kb/3P	3A Schottky Barrier Diode
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	WSB5539N	1Mb/4P	0.5A, Schottky Barrier Diode
	WSB20L100TF	1Mb/3P	Power Schottky Barrier Rectifier
	WSB10100T	543Kb/3P	Power Schottky Barrier Rectifier
	WPM2005B	2Mb/6P	Power MOSFET and Schottky Diode
	WSB5543W	1Mb/4P	Middle Power Schottky Barrier Diode

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