MOSFET Datasheet(PDF) - MRF6522-70R3 - Freescale Semiconductor, Inc

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제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Freescale Semiconductor...	MRF6522-70R3	510Kb/8P	The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF9582NT1	288Kb/8P	Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
	MC34700	822Kb/31P	9 to 18V, Quad Output, Integrated MOSFET Power Supply
	MC34700	1Mb/28P	9.0 to 18 V, Quad Output, Integrated MOSFET Power Supply
	MRF6VP2600H	1Mb/19P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
	MRF9060LR1	364Kb/11P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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	MRF6P21190HR6	400Kb/12P	RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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	MRF21085LSR3	197Kb/11P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
	MRF6VP2600HR6	1Mb/19P	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
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	MRF8S9202N	652Kb/13P	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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MOSFET 란

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)는 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 인버터와 같은 고전력 애플리케이션을 제어하는 데 사용되는 일종의 전력 반도체 장치입니다.

FET(Field-Effect Transistor)의 일종으로 전기장을 이용하여 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 동작합니다.

MOSFET에서 전류의 흐름은 게이트 역할을 하는 얇은 금속 산화막에 의해 제어되며 얇은 절연층에 의해 장치의 나머지 부분과 격리됩니다.

게이트 전압은 장치를 통과하는 전류의 흐름을 결정하는 소스와 드레인 단자 사이의 채널 폭을 제어합니다.

MOSFET에는 N 채널과 P 채널의 두 가지 주요 유형이 있습니다.

N채널 MOSFET에는 n형 물질로 도핑된 채널이 있는 반면 P채널 MOSFET에는 p형 물질로 도핑된 채널이 있습니다.

MOSFET은 높은 입력 임피던스, 낮은 온 상태 저항, 빠른 스위칭 속도 및 고효율을 포함하여 다른 유형의 전력 반도체에 비해 몇 가지 이점을 제공합니다.

또한 매우 다재다능하며 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 인버터와 같은 다양한 응용 분야에서 사용할 수 있습니다.

그러나 MOSFET에는 제한된 정격 전압과 장치를 제어하기 위한 게이트 구동 회로가 필요한 등 몇 가지 단점도 있습니다.

또한 열 폭주에 취약하여 장치가 과열되면 장치가 고장날 수 있습니다. 이러한 위험을 완화하기 위해 MOSFET은 종종 열 보호 장치 또는 스너버 회로와 같은 다른 구성 요소와 함께 사용됩니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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