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GAAS 데이터시트, PDF

검색된 단어 : 'GaAs' - Total: 24 (1/2) Pages
제조업체부품명데이터시트상세설명
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Motorola, Inc
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50Kb/4P
HIGH FREQUENCY GaAs FET TRANSISTOR
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193Kb/8P
ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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68Kb/4P
HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR GaAs PHEMT
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189Kb/8P
1.6 GHz GaAs LOW NOISE AMPLIFIER
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120Kb/6P
900 MHz GaAs INTEGRATED POWER AMPLIFIER
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158Kb/8P
1.9 GHz GaAs LOW NOISE AMPLIFIER
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138Kb/8P
2.4 GHz DOWNCONVERTER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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66Kb/4P
2.4 GHz INTEGRATED UPMIXER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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75Kb/4P
SURFACE MOUNT LOW NOISE ENHANCEMENT MODE GaAs CASCODE
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79Kb/6P
2.4 GHz EXCITER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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265Kb/4P
3.2 V DCS/PCS GaAs Integrated Power Amplifier
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220Kb/10P
1.9 GHz POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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100Kb/6P
2.4 GHz POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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147Kb/8P
900 MHz GaAs TWO STAGE DRIVER AMP INTEGRATED CIRCUIT
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68Kb/4P
1.8 GHz TRANSMIT/RECEIVE ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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278Kb/12P
1.8 GHz DRIVER AMPLIFIER AND RAMP CIRCUIT GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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82Kb/6P
1.8 GHz LOW NOISE AMPLIFIER AND DOWNMIXER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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168Kb/10P
900 MHz GSM CELLULAR INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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140Kb/8P
900 MHz GSM CELLULAR INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
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119Kb/6P
1.8 GHz UPMIXER, EXCITER AND LO AMP GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

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GaAs 란


GaAs(갈륨비소)는 갈륨(Ga)과 비소(As)로 이루어진 반도체 소재로, 전자부품에서 사용됩니다.

GaAs는 광전자 소자, 고속 집적회로(IC), 마이크로웨이브 소자 등에서 널리 사용됩니다.

GaAs는 매우 높은 전자 이동도와 빠른 전자 이동 속도를 갖고 있어서, 고주파 신호 처리와 광통신 분야에서 중요한 역할을 합니다.

이러한 특성으로 인해 GaAs는 고속 전자기기의 핵심 소재 중 하나로 자리 잡았습니다.

또한, GaAs는 일반적으로 극저온에서도 우수한 전기적 특성을 유지하기 때문에, 초고속 컴퓨터 칩의 제조에도 사용됩니다.

GaAs는 Si(실리콘)과 같은 전통적인 반도체 소재와 비교하여 비교적 비싸고, 제조 공정이 복잡합니다.

하지만, GaAs는 고속 전자 기기에서 필요한 뛰어난 전기적 특성과 성능을 제공하기 때문에, 여전히 중요한 반도체 소재로 인정받고 있습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.


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