FLASH Datasheet(PDF) - S70FL256P - Cypress Semiconductor

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FLASH 란

Flash는 전자 기기에서 데이터를 저장하기 위해 사용되는 비휘발성 메모리(NVMe) 기술 중 하나입니다.

Flash 메모리는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)에 대한 대안으로 개발되었습니다.

Flash 메모리는 대부분의 전자 기기에서 데이터를 저장하기 위해 사용됩니다.

이는 기억장치의 성능, 속도 및 접근성 측면에서 매우 우수합니다. Flash 메모리는 데이터를 더욱 빠르게 저장할 수 있으며, 전원이 꺼져도 데이터를 보존할 수 있습니다.

이러한 이유로 Flash 메모리는 디지털 카메라, 스마트폰, 태블릿, USB 드라이브, SSD(Solid-State Drive) 등 다양한 기기에서 사용됩니다.

Flash 메모리는 EEPROM에 비해 높은 속도, 저가 및 대용량 저장 용량을 가지고 있습니다.

하지만, Flash 메모리는 한 번에 전체 블록을 지우고, 다시 쓰는 데에 시간이 걸린다는 한계가 있습니다.

이 한계는 데이터를 빈번하게 변경해야 하는 응용 프로그램에 대해 문제를 일으킬 수 있습니다.

그러나 최근의 Flash 기술 발전으로 이러한 한계를 극복하기 위한 다양한 기술이 개발되고 있습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Cypress Semiconductor	S70FL256P	1Mb/16P	256-Mbit 3.0V Flash
	CY7C371I	214Kb/12P	UltraLogic 32-Macrocell Flash CPLD
	CY7C371	539Kb/11P	UltraLogic 32-Macrocell Flash CPLD
	CY7C373	41Kb/1P	UltraLogic??64-Macrocell Flash CPLD
	CY7C374I	274Kb/13P	UltraLogic 128-Macrocell Flash CPLD
	CY7C373	183Kb/12P	UltraLogic 64-Macrocell Flash CPLD
	CY7C374I	347Kb/15P	UltraLogic??128-Macrocell Flash CPLD
	CS5954AM	411Kb/44P	USB Controller for NAND Flash
	CY7C372I	176Kb/13P	UltraLogic 64-Macrocell Flash CPLD
	CY7C375I	431Kb/17P	UltraLogic 128-Macrocell Flash CPLD
	CY7C372I-66YMB	165Kb/13P	UltraLogic 64-Macrocell Flash CPLD
	CY7C68023	447Kb/10P	EZ-USB NX2LP USB 2.0 NAND Flash Controller 3.3 V NAND Flash Operation
	PALCE20V8	316Kb/14P	Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL짰 Device
	PALCE22V10	350Kb/13P	Flash-erasable Reprogrammable CMOS PAL Device
	CYWUSB6953	209Kb/7P	WirelessUSB PRoC Flash Programmable MCU + Radio
	PALC22V10D	328Kb/12P	Flash Erasable, Reprogrammable CMOS PAL짰 Device
	PALCE20V8	352Kb/14P	Flash Erasable, Reprogrammable CMOS PAL Device
	S25FL129P	2Mb/66P	128-Mbit 3.0 V Flash Memory
	5962-8867004LA	337Kb/12P	Flash Erasable, Reprogrammable CMOS PAL Device
	PALCE16V8	300Kb/13P	Flash-Erasable Reprogrammable CMOS PAL Device

FLASH 데이터시트, PDF

FLASH 란

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