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DRAIN 란

전자부품에서 'DRAIN'은 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)와 같은 일부 반도체 디바이스에서 사용되는 용어입니다.

MOSFET은 전압을 제어하여 전류를 흐르게 하는 반도체 디바이스로, 주로 스위칭과 증폭에 사용됩니다. MOSFET은 세 개의 핀을 가지고 있으며, 이 중 하나는 'DRAIN' 핀입니다. 다른 두 개의 핀은 'GATE'와 'SOURCE'입니다.

DRAIN (드레인): DRAIN은 MOSFET의 출력 핀으로서, 전류가 이 핀을 통해 디바이스를 떠나게 됩니다. DRAIN 핀은 MOSFET의 채널이 형성되는 부분으로 전류를 수집하는 역할을 합니다. 일반적으로 전기적인 연결은 MOSFET의 DRAIN 핀과 회로의 전원 또는 부하에 연결됩니다.

GATE (게이트): GATE는 MOSFET의 제어 핀으로서, 전압이 이 핀에 인가되면 채널의 전도성을 제어하여 DRAIN과 SOURCE 간의 전류 흐름을 조절합니다.

SOURCE (소스): SOURCE는 MOSFET의 입력 핀으로서, 전류가 이 핀에 들어가게 됩니다. 채널의 전도성은 GATE에 인가된 전압에 따라 변화하게 되며, 이에 따라 DRAIN과 SOURCE 간의 전류가 흐르게 됩니다.

MOSFET은 다양한 응용에서 사용되며, 주로 전력 변환, 스위칭 회로, 증폭 회로 등에서 활용됩니다. DRAIN은 MOSFET의 동작을 제어하는데 중요한 역할을 합니다. 이를 통해 MOSFET은 적용 전압과 GATE에 인가된 전압에 따라 채널의 전도성을 제어하고 전류를 흐르게 하거나 차단하여 다양한 기능을 수행합니다.

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Nexperia B.V. All right...	74LVC2G06	256Kb/17P	Inverters with open-drain outputs Rev. 9 - 24 January 2022
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	74LVC2G07-Q100	779Kb/13P	Buffers with open-drain outputs
	74LVC2G06-Q100	779Kb/13P	Inverters with open-drain outputs
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	74AHC1G07-Q100	204Kb/10P	Buffer with open-drain output Rev. 4 - 11 January 2022
	74LVC1G06	255Kb/16P	Inverter with open-drain output Rev. 14 - 10 February 2022
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	74LVC3G06	254Kb/15P	Triple inverter with open-drain output Rev. 15 - 20 April 2021
	74LV07AT	727Kb/12P	Hex buffer with open-drain outputs Rev. 1 - 19 December 2016
	74HCT3G07	209Kb/12P	Triple buffer with open-drain outputs Rev. 5 - 24 January 2019
	74LVC3G07-Q100	202Kb/11P	Triple buffer with open-drain output
	74HC05-Q100	858Kb/15P	Hex inverter with open-drain outputs
	74LVC07A	234Kb/12P	Hex buffer with open-drain outputs Rev. 7 - 3 August 2020
	74LVC06A	234Kb/12P	Hex inverter with open-drain outputs Rev. 7 - 4 August 2020
	74LVC1G38	261Kb/17P	2-input NAND gate; open drain Rev. 10 - 12 January 2022

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