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DIFFUSED 데이터시트, PDF

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제조업체부품명데이터시트상세설명
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NXP Semiconductors 		BU4515DX Datasheet pdf image
23Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
BU4523AW Datasheet pdf image
69Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
May 1998 Rev 1.000
BU4523AX Datasheet pdf image
66Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
May 1998 Rev 1.100
BU4523DW Datasheet pdf image
24Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
BU4525AL Datasheet pdf image
19Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
January 1998 Rev 1.000
BU4525DF Datasheet pdf image
21Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
BU4525DL Datasheet pdf image
20Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
BU4525DX Datasheet pdf image
22Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
BU508AX Datasheet pdf image
63Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.200
BUJ101AX Datasheet pdf image
21Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
August 1998 Rev 1.000
BUJ301AX Datasheet pdf image
21Kb/4P		 Silicon Diffused Power Transistor
August 1998 Rev 1.000
BU1508DX Datasheet pdf image
64Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 1.300
BU2507DF Datasheet pdf image
54Kb/6P		 Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 1.200
BU2507DX Datasheet pdf image
57Kb/6P		 Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 1.200
BU2508D Datasheet pdf image
51Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
December 1995 Rev 1.200
BU2508DX Datasheet pdf image
73Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 2.500
BU2520DX Datasheet pdf image
70Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 2.300
BUJ304A Datasheet pdf image
70Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
March 1999 Rev 1.000
BUJ403BX Datasheet pdf image
58Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
ovember 1999 Rev 1.100
PHE13009 Datasheet pdf image
59Kb/7P		 Silicon Diffused Power Transistor
March 1999 Rev 1.000

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DIFFUSED 란

전자부품에서 DIFFUSED는 일반적으로 반도체 제조 과정에서 사용되는 용어입니다.

반도체 제조 과정에서, DIFFUSED는 일반적으로 불순물을 반도체 소재에 녹여서 산화 반응을 일으켜 원하는 반도체 소자를 만들어 내는 기술을 가리킵니다.

이러한 기술은 반도체 소자의 특성을 결정하는 중요한 과정 중 하나입니다.

예를 들어, 실리콘을 이용한 반도체 소자에서, 디퓨전(불순물을 녹여서 산화 반응을 일으키는 기술)은 일반적으로 소자 내부의 pn 접합(positive-negative junction)을 형성하는 데 사용됩니다.

이 pn 접합은 다양한 전자부품에서 사용되는 다이오드, 트랜지스터, 집적회로 등의 기본적인 구성 요소 중 하나이며, 반도체 소자의 전기적 특성을 결정하는 중요한 요소입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.


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